ترانزیستورهای اثر میدان
اساس کار حافظه های فلش ترانزیستورهایی هستند که تغییر شکل یافته ترانزیستورهای"فلزاکسید-نیمه هادی مبتنی بر اثر میدان می باشند.
ترانزیستورهای اخیر، از 3 قطعه نیمه هادی که 2 قطعه آن هم نوع هستند تشکیل شده است. در اینجا به توضیح طرز کار نوع npn که در ساختمان حافظه های فلش از تغییر شکل......

ادامه مطلب...

دسته ها : سخت افزار
پنج شنبه بیست و پنجم 4 1388

بسمه تعالی

حقیقت تلخ رابا شیرینی اندیشه تحمل کن

انسان شکیبا هدف هایش را از دست نمی دهد هر چند زمان آن طولانی باشد و انسانی به اهدافش می رسد که با انها زندگی کند () زندگی جاده ایست پر پیچ و خم که انسان تنها با احترام گذاشتن به ارزشها و تلاش برای گذر درست از این کوره راهها با کمک ارزشها و تلاش برای رسیدن به اهداف و رویا ها می تواند به شکوفایی برسد. ...

 ادامه مطلب...

دسته ها : خودمانی
دوشنبه پانزدهم 4 1388

بسمه تعالی

در دنیای امروز اینترنت پلی است که اخبار ارزشها فرهنگها و علوم را بین ملل و اقوام مختلف انتثال می دهد.

و باتوجه به این که اغلب در این فضا زبان انتقال اطلاعات انگلیسی بوده و هست. ولی امروزه بسیاری از سایتهای فارسی زبان و توانسته این مشکل را حل کند ولی باز هم دربیساری از مواقع سایتهای فارسی زبان پاسخگوی این نیاز ...............

ادامه مطلب....

دوشنبه هشتم 4 1388
حافظه flash چیست ؟
فرآیند تونل زدن یک پدیده‌ی مکانیکی- کوانتومی است که یک الکترون می‌تواند از میان سد انرژی بزرگتر از انرژی جنبشی خود عبور کند.
اگر ساختاری ایجاد شود که متشکل از 2 فلز مشابه باشد و این 2 فلز توسط یک ماده‌ی عایق نازک جدا شوند، تحت شرایط معینی الکترون می‌تواند از یک فلز به دیگر انتقال یابد. تونل زدن الکترون، از یک طرف به طرف دیگر آن در صورتی انجام می‌شود که حالت‌های الکترونی اشغال نشده در طرف دیگر وجود داشته باشد.
فیلم‌های اکسیدی بسیار نازک با رشد خود به خودی برای ایجاد اتصالات تونلی الکترونی .......>>>>>>>

ادامه مطلب... 

دسته ها : سخت افزار
يکشنبه هفتم 4 1388
X