ترانزیستورهای اثر میدان
اساس کار حافظه های فلش ترانزیستورهایی هستند که تغییر شکل یافته ترانزیستورهای"فلزاکسید-نیمه هادی مبتنی بر اثر میدان می باشند.
ترانزیستورهای اخیر، از 3 قطعه نیمه هادی که 2 قطعه آن هم نوع هستند تشکیل شده است. در اینجا به توضیح طرز کار نوع npn که در ساختمان حافظه های فلش از تغییر شکل......

ادامه مطلب...

دسته ها : سخت افزار
پنج شنبه بیست و پنجم 4 1388
حافظه flash چیست ؟
فرآیند تونل زدن یک پدیده‌ی مکانیکی- کوانتومی است که یک الکترون می‌تواند از میان سد انرژی بزرگتر از انرژی جنبشی خود عبور کند.
اگر ساختاری ایجاد شود که متشکل از 2 فلز مشابه باشد و این 2 فلز توسط یک ماده‌ی عایق نازک جدا شوند، تحت شرایط معینی الکترون می‌تواند از یک فلز به دیگر انتقال یابد. تونل زدن الکترون، از یک طرف به طرف دیگر آن در صورتی انجام می‌شود که حالت‌های الکترونی اشغال نشده در طرف دیگر وجود داشته باشد.
فیلم‌های اکسیدی بسیار نازک با رشد خود به خودی برای ایجاد اتصالات تونلی الکترونی .......>>>>>>>

ادامه مطلب... 

دسته ها : سخت افزار
يکشنبه هفتم 4 1388

 Flash Memory حافظه فلش چیست و اصولو مبانی حافظه فلش

 حافظه های الکترونیکی درانواع گوناگون و برای مصارف مختلفساخته شده اند . حافظه های فلش به دلیل سرعت بالای آنها در ثبت اطلاعات و همچنین استفاده فوق العاده آسان بسیار پر فروش و پر طرف دار می باشند . از این رو در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستیم .

شیوه ذخیره اطلاعات در این نوع از حافظه بسیار شبیه به ذخیره اطلاعات در RAM می باشد . در حقیقت حافظه های فلش در نحوه فعالیت مشابه یک منبع ذخیرهاطلاعات ثابت عمل میکند . به این معنی که در آنها هیچ قطعه>>>>>>

ادامه مطلب... 

دسته ها : سخت افزار
جمعه بیست و نهم 3 1388
X